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申请/专利权人：深圳市昇维旭技术有限公司
摘要：本公开提供了一种半导体器件的形成方法，涉及半导体技术领域。该形成方法包括：提供包括衬底的初始半导体结构，衬底包括第一区域和第二区域，第一区域形成有P型晶体管，第二区域形成有N型晶体管，P型晶体管包括第一栅极、第一源极和第一漏极，N型晶体管包括第二栅极、第二源极和第二漏极；在第一栅极、第一源极、第一漏极、第二栅极、第二源极、第二漏极的顶部分别形成第一金属硅化物层；形成随形覆盖于具有第一金属硅化物层的初始半导体结构的表面的应力层，应力层包括硅元素和氮元素，且硅元素和氮元素之间的比例大于3:4。通过在器件内形成硅含量较高的应力层，可以平衡P型晶体管和N型晶体管内的应力，降低器件内金属硅化物层的阻值。
主权项：1.一种半导体器件的形成方法，其特征在于，包括：提供初始半导体结构，所述初始半导体结构包括衬底，所述衬底包括第一区域和第二区域，所述第一区域形成有P型晶体管，所述第二区域形成有N型晶体管，所述P型晶体管包括第一栅极以及位于所述第一栅极两侧的第一源极和第一漏极，所述N型晶体管包括第二栅极以及位于所述第二栅极两侧的第二源极和第二漏极；在所述第一栅极、所述第一源极、所述第一漏极、所述第二栅极、所述第二源极、所述第二漏极的顶部分别形成第一金属硅化物层；形成应力层，所述应力层随形覆盖于具有所述第一金属硅化物层的所述初始半导体结构的表面，以形成目标半导体结构，其中，所述应力层包括硅元素和氮元素，且所述硅元素和所述氮元素之间的比例大于3:4。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 深圳市昇维旭技术有限公司 半导体器件的形成方法
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