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一种紧耦合阵列天线 

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申请/专利权人:中国电子科技集团公司第二十九研究所

摘要:本发明公开了一种紧耦合阵列天线,所述紧耦合阵列天线由若干天线单元组阵构成;所述天线单元包括两个+45°极化合成单元和两个‑45°极合成化单元,两个+45°极化合成单元和两个‑45°极合成化单元首尾相接组成二维紧耦合天线阵列;且,所述+45°极化合成单元包括两个相邻的+45°极化基础单元,所述+45°极化基础单元包括+45°极化辐射体;所述‑45°极化合成单元包括两个相邻的‑45°极化基础单元;所述‑45°极化基础单元包括‑45°极化辐射体。本发明通过基础天线单元二合一成为单通道合成单元的设计与双斜极化布阵相结合的方式,有效降低基础单元之间的耦合方向上的间距进一步增大耦合量展宽带宽,同时避免水平、垂直方向扫描间距的较大增加,有效降低天线通道数量。

主权项:1.一种紧耦合阵列天线,其特征在于,所述紧耦合阵列天线由若干天线单元组阵构成;所述天线单元包括两个+45°极化合成单元和两个-45°极合成化单元,两个+45°极化合成单元和两个-45°极合成化单元首尾相接组成二维紧耦合天线阵列;且,所述+45°极化合成单元包括两个相邻的+45°极化基础单元,所述+45°极化基础单元包括+45°极化辐射体1;所述-45°极化合成单元包括两个相邻的-45°极化基础单元;所述-45°极化基础单元包括-45°极化辐射体3。

全文数据:

权利要求:

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