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申请/专利权人：西北核技术研究所
摘要：本发明涉及一种中子束流监测装置，具体涉及一种碳化硅自给能半导体探测器及中子束流反角监测装置，解决现有碳化硅半导体探测器无法实现自给能且能量分辨率不理想，使得前端监测装置需要额外供电的技术问题。该碳化硅自给能半导体探测器包括SiO2钝化层与从下至上依次堆叠设置的NiAu阴极、SiC‑N衬底、SiC‑N外延层、SiC‑N灵敏层、P区以及NiAu阳极；本发明还提供了一种中子束流反角监测装置，包括D粒子束流管道、靶室、氚靶、α粒子管道、碳化硅自给能半导体探测器及测量单元；D粒子束流管道的一端用于接收来自加速器的D粒子束，另一端与靶室连通设置。本发明的通过改进使得碳化硅自给能半导体探测器能够实现自给能和高能量分辨率。
主权项：1.碳化硅自给能半导体探测器，其特征在于：包括SiO2钝化层与从下至上依次堆叠设置的NiAu阴极、SiC-N衬底、SiC-N外延层、SiC-N灵敏层、P区以及NiAu阳极；所述SiC-N灵敏层为台阶柱状结构；所述P区设置于SiC-N灵敏层台阶柱上；所述SiO2钝化层分别设置在P区与SiC-N灵敏层的外表面；所述NiAu阴极与SiC-N衬底欧姆接触；所述P区与NiAu阳极欧姆接触。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 西北核技术研究所 碳化硅自给能半导体探测器及中子束流反角监测装置
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