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申请/专利权人：长春理工大学
摘要：本申请提供一种InAs‑InGaAsSbⅡ类超晶格及其制备方法和红外探测器，涉及材料领域。InAs‑InGaAsSbⅡ类超晶格的制备方法，包括：使用MBE方法在晶格匹配的衬底上生长得到亚稳态的InAs‑InGaAsSbⅡ类超晶格，其中生长温度为280‑400℃；将亚稳态的InAs‑InGaAsSbⅡ类超晶格进行退火处理，得到稳态的InAs‑InGaAsSbⅡ类超晶格；退火处理的温度为200‑400℃，温度保持时间为0.5‑2min。本申请提供的InAs‑InGaAsSbⅡ类超晶格的制备方法，可以实现对同生长参数同周期同组分MBE生长条件的超晶格的发光波段进行调控，以满足不同领域的应用需求。
主权项：1.一种InAs-InGaAsSbⅡ类超晶格的制备方法，其特征在于，包括：使用MBE方法在晶格匹配的衬底上生长得到亚稳态的InAs-InGaAsSbⅡ类超晶格，其中生长温度为300℃；将所述亚稳态的InAs-InGaAsSbⅡ类超晶格进行退火处理，得到稳态的InAs-InGaAsSbⅡ类超晶格；所述退火处理的温度为200-400℃，温度保持时间为0.5-2min；所述退火处理的升温速率为100~200℃min。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 长春理工大学 InAs-InGaAsSbⅡ类超晶格及其制备方法和红外探测器
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