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申请/专利权人：联宝(合肥)电子科技有限公司
摘要：本发明公开一种POP元件堆叠装配的混合焊接工艺及系统，该工艺包括：在印制电路板PCB表面的焊接点位上印刷低温锡膏；在所述PCB板表面的焊盘上贴装底层球栅阵列封装BGA芯片，所述底层BGA芯片的底面植入有高温锡球；在所述底层BGA芯片表面的焊盘上喷射低温锡膏；在所述底层BGA芯片表面贴装堆叠层BGA芯片，得到组装元件，所述堆叠层BGA芯片的底面植入有高温锡球；对所述组装元件进行焊接，以使所述低温锡膏熔融，实现所述低温锡膏对所述高温锡球的包裹。本发明通过自动喷锡工艺可以代替传统POP蘸取助焊剂方式，满足低温锡膏时代混合焊接工艺要求，同时还具有一次良率高、焊接强度高的效果。
主权项：1.一种POP元件堆叠装配的混合焊接工艺，其特征在于，所述工艺包括：在印制电路板PCB表面的焊接点位上印刷低温锡膏；在所述PCB板表面的焊盘上贴装底层球栅阵列封装BGA芯片，所述底层BGA芯片的底面植入有高温锡球；在所述底层BGA芯片表面的焊盘上喷射低温锡膏；在所述底层BGA芯片表面贴装堆叠层BGA芯片，得到组装元件，所述堆叠层BGA芯片的底面植入有高温锡球；对所述组装元件进行焊接，以使所述低温锡膏熔融，实现所述低温锡膏对所述高温锡球的包裹，包括：所述组装元件依次进入预热区、保温区、焊接区以及冷却区；所述预热区预热温度为160-170℃，所述预热区预热时间为40-70s，所述预热区升温速率为1.7-2.3℃s；所述保温区的温度为177-195℃，所述保温区的保温时间为100-135s；所述焊接区的峰值温度为190-195℃；所述冷却区降温速率为1-3℃s。
全文数据：
权利要求：
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