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申请/专利权人：中国工程物理研究院电子工程研究所

摘要：本发明公开了一种TSV转接板兼容的薄膜电阻式温度和应变传感集成方法，该方法包括：在制备TSV转接板过程中根据预设位置预留出传感器布置位置以及与传感器引出端互联的端口位置；在制备完成的TSV转接板上预留的传感器布置位置制备传感器；沉积互联金属将传感器引出端与预留的与之互连的端口位置的金属再布线层互联。本发明利用半导体前道工艺在TSV转接板预设位置将温度、应变传感器内嵌集成，该集成TSV转接板结构除了提供电互联通道外，还具有测量温度、应变物理量的功能，使得基于该TSV转接板结构的集成封装结构在工作及外界环境载荷下可以直接测量其内部的温度、应变参数，为其可靠性评估优化提供有力的数据支撑和数据支撑。

主权项：1.TSV转接板兼容的薄膜电阻式温度和应变传感集成方法，其特征在于，所述集成方法包括：制备TSV转接板，同时在制备TSV转接板过程中根据预设位置预留出传感器布置位置以及与传感器引出端互联的端口位置；利用半导体前道工艺在制备完成的TSV转接板上预留的传感器布置位置制备温度传感器和应变传感器；传感器制备完成后，在TSV转接板上沉积互联金属将传感器引出端与预留的与之互连的端口位置的金属再布线层互联；制备完成的TSV转接板包括硅基板；所述硅基板正面至少有两层介质层和一层金属再布线层，所述硅基板背面至少有一层介质层和一层金属再布线层；且所述硅基板正面的金属再布线层通过TSV与背面的金属再布线层互联；所述硅基板正面由内至外依次有第一介质层、金属再布线层和第二介质层；在制备TSV转接板过程中预留出传感器布置位置以及与传感器引出端互联的端口位置，具体包括：在所述硅基板正面的第一介质层上预设位置分别预留出制备温度传感器的第二介质层开口作为温度传感器布置位置以及制备应变传感器的第二介质层开口作为应变传感器布置位置；在所述硅基板正面的金属再布线层上预留出与温度传感器互联的第二介质层开口作为与温度传感器互联的端口位置以及与应变传感器互联的第二介质层开口作为与应变传感器互联的端口位置；所述温度传感器和应变传感器均采用薄膜电阻式传感器，分别基于薄膜材料的温阻效应及薄膜材料变形导致电阻发生变化的原理实现参数测量；所述温度传感器采用的薄膜材料为金属薄膜材料，所述应变传感器采用的薄膜材料为氮化钽。

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百度查询： 中国工程物理研究院电子工程研究所 TSV转接板兼容的薄膜电阻式温度和应变传感集成方法