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申请/专利权人：东京毅力科创株式会社
摘要：一种蚀刻方法，包括：工序a，在腔室的内部的静电保持盘的表面形成含碳膜；工序b，在所述含碳膜上载置基板；以及工序c，对所述基板进行等离子体蚀刻，其中，所述工序a包括：工序a1，向所述腔室的内部供给预涂层气体，将所述腔室内的压力控制为100mTorr以上且1000mTorr以下；以及工序a2，生成所述预涂层气体的等离子体。
主权项：1.一种蚀刻方法，包括：工序a，在腔室内的静电保持盘的表面形成含碳膜；工序b，在所述含碳膜上载置基板；以及工序c，对所述基板进行等离子体蚀刻，其中，所述工序a包括：工序a1，向所述腔室的内部供给包含碳和氢的预涂层气体，将所述腔室内的压力控制为100mTorr以上且1000mTorr以下；以及工序a2，生成所述预涂层气体的等离子体。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 东京毅力科创株式会社 蚀刻方法、预涂层方法以及蚀刻装置
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