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申请/专利权人：北方集成电路技术创新中心(北京)有限公司;中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
摘要：一种阻变随机存储器及其形成方法，其中方法包括：衬底内具有第一金属互连层，衬底暴露出第一金属互连层表面；在衬底表面形成第一介质层和位于第一介质层内的第一开口，第一开口暴露出第一金属互连层部分表面；在第一开口内形成初始第一电极层和位于初始第一电极层表面的第一掩膜层，第一掩膜层填满第一开口；以第一掩膜层为掩膜，刻蚀第一开口侧壁的初始第一电极层，直到暴露出第一金属互连层表面，形成第一电极层，第一电极层侧壁至第一开口侧壁之间具有第二开口；在第二开口内形成隔离层；在形成隔离层之后，去除第一掩膜层；在去除第一掩膜层之后，在第一开口内形成阻变层和位于阻变层表面的第二电极层，提高了阻变随机存储器尺寸的精确性。
主权项：1.一种阻变随机存储器，其特征在于，包括：衬底，所述衬底内具有第一金属互连层，所述衬底暴露出所述第一金属互连层表面；位于所述衬底表面的第一介质层，所述第一介质层内具有第一开口，所述第一开口暴露出所述第一金属互连层部分表面；位于所述第一开口内的第一电极层，所述第一电极层侧壁至所述第一开口侧壁之间具有第二开口；位于在所述第二开口内的隔离层；位于所述隔离层表面和所述第一电极层表面的阻变层、以及位于所述阻变层表面的第二电极层。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 北方集成电路技术创新中心(北京)有限公司 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 阻变随机存储器及其形成方法
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