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申请/专利权人：长江存储科技有限责任公司
摘要：本申请公开了一种存储器的编程方法、存储器、存储系统及电子设备，涉及存储技术领域，该方法包括：对于待编程到第一编程态的第一存储单元进行步进式脉冲电压编程ISPP；其中，在ISPP编程的第一编程脉冲周期的第一阶段，对第一存储单元进行编程抑制；在第一编程脉冲周期的第二阶段，对第一存储单元进行脉冲编程。针对会产生过度编程的第一编程态，对第一编程态对应的第一存储单元进行二阶编程，其中一个阶段对存储单元进行编程抑制，还有一个阶段对存储单元进行脉冲编程，从而减小了第一编程态对应的存储单元的编程速度，降低第一编程态对应的存储单元产生过度编程的概率。
主权项：1.一种存储器的编程方法，其特征在于，所述方法包括：对于待编程到第一编程态的第一存储单元进行步进式脉冲电压编程ISPP；其中，在所述ISPP编程的第一编程脉冲周期的第一阶段，对所述第一存储单元进行编程抑制；在所述第一编程脉冲周期的第二阶段，对所述第一存储单元进行脉冲编程。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 长江存储科技有限责任公司 存储器的编程方法、存储器、存储系统及电子设备
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