龙图腾网&IPTOP
- 微信扫码登录
- 账号密码登录
- 短信登录/注册
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
申请/专利权人：中芯国际集成电路制造(北京)有限公司;中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
摘要：一种半导体结构的形成方法，包括：提供衬底，衬底内具有第一阱区；在第一阱区内形成若干第一隔离沟槽，以使得第一阱区形成若干第一有源区；在第一有源区内形成第一漂移区；在衬底上形成暴露出部分第一有源区的顶部表面掩膜层；对暴露出的第一有源区的表面进行处理形成第一牺牲氧化层；去除第一牺牲氧化层；对暴露出的第一有源区的表面进行处理形成第一栅氧化层。通过第一有源区的顶部表面形成第一牺牲氧化层，进而将第一牺牲氧化层剥离去除，以修复第一有源区的顶部表面在形成第一漂移区的过程中受到的损伤，以及去除第一有源区顶部表面的悬挂键缺陷，进而稳定最终形成的器件结构的阈值电压，提升器件结构的电学性能。
主权项：1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供衬底，所述衬底内具有第一阱区，所述第一阱区内具有第一阱区离子；在所述第一阱区内形成若干第一隔离沟槽，以使得所述第一阱区形成若干第一有源区；在所述第一有源区内形成第一漂移区，所述第一漂移区内具有第一漂移离子，所述第一漂移离子与所述第一阱区离子的电学类型不同；在所述衬底上形成掩膜层，所述掩膜层暴露出部分所述第一有源区的顶部表面；以所述掩膜层为掩膜，采用第一氧化工艺对暴露出的所述第一有源区的表面进行处理，形成第一牺牲氧化层；去除所述第一牺牲氧化层；在去除所述第一牺牲氧化层之后，以所述掩膜层为掩膜，采用第二氧化工艺对暴露出的所述第一有源区的表面进行处理，形成第一栅氧化层。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 半导体结构的形成方法
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
主营中国专利交易买卖与专利转让许可,高校科技成果推广与科技成果转化,知识产权运营管理与平台开发,科技人才专家库与科技猎头等科技服务
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号