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申请/专利权人：华邦电子股份有限公司
摘要：一种半导体装置及其形成方法，其中，半导体装置的形成方法包含以下步骤。在多个主动区域之间形成隔离结构。在主动区域的上方形成多个半导体结构，且每个半导体结构的一部分嵌入隔离结构中。在半导体结构之上形成多个牺牲结构。执行离子注入工艺，以在半导体结构嵌入隔离结构中的部分之间形成多个注入区域。将牺牲结构移除，以形成多个图案化半导体结构。在图案化半导体结构之上形成介电结构。在介电结构之上形成控制结构。
主权项：1.一种半导体装置的形成方法，其特征在于，包括：在多个主动区域之间形成隔离结构；在所述多个主动区域的上方形成多个半导体结构，其中每个所述半导体结构的一部分嵌入所述隔离结构中；在所述多个半导体结构之上形成多个牺牲结构；执行离子注入工艺，以在所述多个半导体结构嵌入所述隔离结构中的部分之间形成多个注入区域；将所述多个牺牲结构移除，以形成多个图案化半导体结构；在所述多个图案化半导体结构之上形成介电结构；以及在所述介电结构之上形成控制结构。
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百度查询： 华邦电子股份有限公司 半导体装置及其形成方法
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