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申请/专利权人：张江国家实验室
摘要：本申请公开一种光栅耦合器的制备方法以及光栅耦合器。该光栅耦合器的制备方法包括：通过压印，在硅片的纳米压印胶上形成第一预设图形；其中，所述第一预设图形包括与多个光栅结构单元对应的子图形；通过刻蚀工艺在所述硅片上、对应于所述第一预设图形的区域制备出光栅结构单元的刻蚀部分，使得至少部分光栅结构单元的刻蚀部分的深度不同，和或至少部分光栅结构单元的占空比不同。通过纳米压印工艺，实现从刻蚀深度和占空比两个维度上改变光栅结构单元，通过一次压印就能得到不同刻蚀深度和占空比的光栅结构单元，这样就能制备与待耦合光纤匹配度高的变迹光栅耦合器，从而提高耦合效率、降低耦合损耗、增强光栅耦合器的性能。
主权项：1.一种光栅耦合器的制备方法，其特征在于，包括：通过压印，在硅片的纳米压印胶上形成第一预设图形；其中，所述第一预设图形包括与多个光栅结构单元对应的子图形；通过刻蚀工艺在所述硅片上、对应于所述第一预设图形的区域制备出光栅结构单元的刻蚀部分，使得至少部分光栅结构单元的刻蚀部分的深度不同，和或至少部分光栅结构单元的占空比不同。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 张江国家实验室 一种光栅耦合器的制备方法以及光栅耦合器
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