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申请/专利权人：杭州邦齐州科技有限公司
摘要：本发明提供了一种微纳光栅的制备方法，属于半导体技术领域。本发明所述微纳光栅的制备方法包括以下步骤：将基底在氮气氛围中进行等离子体处理，得到改性基底；在所述改性基底的表面沉积二氧化硅膜，得到镀二氧化硅基底；将所述镀二氧化硅基底依次进行回火和湿法腐蚀，得到所述微纳光栅。本发明通过等离子体处理改善基底本身的应力，在此基础上进行二氧化硅膜沉积、回火和湿法腐蚀，便于基底与膜层应力匹配，减少由于应力控制不合格导致所得微纳光栅断裂和脱膜的情况出现，提高产品良率，降低成本。
主权项：1.一种微纳光栅的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：将基底在氮气氛围中进行等离子体处理，得到改性基底；在所述改性基底的表面沉积二氧化硅膜，得到镀二氧化硅基底；将所述镀二氧化硅基底依次进行回火和湿法腐蚀，得到所述微纳光栅。
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权利要求：
百度查询： 杭州邦齐州科技有限公司 一种微纳光栅的制备方法
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