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一种避免主动笔信号衰减的触控阵列基板及其制备方法 

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申请/专利权人:福建华佳彩有限公司

摘要:本发明公开一种避免主动笔信号衰减的触控阵列基板及其制备方法,采用顶栅自对准的TFT结构设计,同步搭配栅极GE和触控金属层CM共光罩,即触控金属层CM设计在OC层以下,data金属线SD设计在OC层以上,不仅降低了触控电极的RCLoading,避免了主动笔信号的衰减,而且同时也降低了TFT的RCLoading,提高了器件的相应速度。

主权项:1.一种避免主动笔信号衰减的触控阵列基板,其特征在于:其包括玻璃基板,在玻璃基板上依次设有缓冲层、有源层SE、刻蚀阻挡层ES、金属层GE、绝缘保护层PV、有机平坦层OC、金属层SD、绝缘层VA、公共电极BC、绝缘层CH和像素电极PE;有源层SE覆盖缓冲层的部分区域,刻蚀阻挡层完全覆盖有源层SE以及缓冲层的非有源层SE区域;金属层GE包括由图形化处理形成的栅极和触控层,金属层GE的栅极部分位于刻蚀阻挡层ES对应有源层SE上方区域,触控层设置在刻蚀阻挡层ES的非有源层SE区域;绝缘保护层PV完全覆盖金属层GE并直接覆盖于刻蚀阻挡层ES的非金属层GE覆盖区域;在栅极两侧的刻蚀阻挡层ES、绝缘保护层PV和有机平坦层OC上分别设有对应连通有源层SE的通孔,以在有源层SE的两端分别形成ES孔,金属层SD设在ES孔内并通过ES孔分别与有源层SE的两端搭接;绝缘层VA完全覆盖金属层SD并直接覆盖于有机平坦层OC的非金属层SD覆盖区域;触控层上方的绝缘保护层PV、有机平坦层OC和绝缘层VA上分别设有连通触控层的通孔,以在触控层上方形成VA孔;公共电极BC设在VA孔内并通过VA孔与触控层搭接;绝缘层CH完全覆盖公共电极BC并直接覆盖于绝缘层VA的非公共电极BC覆盖区域;绝缘层VA和绝缘层CH上分别设有通孔,以形成连通金属层SD的CH孔;像素电极PE覆盖绝缘层CH分别区域,像素电极PE通过CH孔与金属层SD作为源漏极部分搭接;缓冲层采用SiOx材料成型;金属层SD-部分覆盖OC层上表面区域。

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