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一种功率芯片的铝基材化学镀镍钯金液工艺配方 

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申请/专利权人:深圳创智芯联科技股份有限公司

摘要:本发明公开了一种功率芯片的铝基材化学镀镍钯金液工艺配方,化学镀镍液包括以下质量浓度的组分:镍盐4‑6gL、复合络合剂8‑12gL、防弯折剂0.5‑1gL、稳定剂20‑60mgL、还原剂5‑15gL、复合防针孔剂15‑45mgL、启镀剂40‑80mgL,余量为去离子水。化学镀钯液包括以下质量浓度的组分:钯盐0.8‑1.2gL、复合络合剂4‑6gL、启镀剂0.2‑0.6gL、复合稳定剂10‑40mgL、还原剂10‑40gL、均匀剂30‑60gL、余量为去离子水。化学镀金液包括金盐1‑2gL、加速剂60‑120mgL、络合剂2‑4gL、光亮剂40‑80mgL、复合还原剂5‑15gL、稳定剂10‑30mgL、余量为去离子水。该发明可以应用于芯片的表面处理工艺,既环保同时又可以弥补国内在芯片镍钯金的不足。

主权项:1.一种功率芯片的铝基材化学镀镍液工艺配方,其特征在于,包括以下质量浓度的组分:镍盐4-6gL、复合络合剂8-12gL、防弯折剂0.5-1gL、稳定剂20-60mgL、还原剂5-15gL、复合防针孔剂15-45mgL、启镀剂40-80mgL,余量为去离子水pH为4.4-4.8操作温度65-75℃所述镍盐为硫酸镍;pH控制由质量浓度5%的氢氧化钠和体积浓度5%浓盐酸的溶液进行调节;所述还原剂为次亚磷酸钠;所述复合防针孔剂为L-硫代脯氨酸和丁炔二醇乙氧基化合物组成的组合物,其在使用时的质量浓度比为1:2;所述防弯折剂为2,2'-硫代二乙基双[3-3,5-二叔丁基-4-羟苯基丙酸酯];所述启镀剂为3-[[苄硫基硫代羰基]硫基]丙酸;所述复合络合剂为氨基丁二酸和3,5-吡啶二甲酸组成的组合物。

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权利要求:

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