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申请/专利权人：纽富来科技股份有限公司
摘要：本发明提供一种能够防止在防带电膜上产生局部的带电以及电位梯度，并提高描绘精度的多射束用的消隐装置以及具备这样的消隐装置的多带电粒子束描绘装置。本发明的一方式的多射束用的消隐装置具备：半导体基板；绝缘膜，设于所述半导体基板上；防带电膜，设于所述绝缘膜上；多个单元，分别具有消隐电极和接地电极，该消隐电极和接地电极与形成于所述半导体基板和所述绝缘膜的贯通孔对应地设置在该绝缘膜上；以及接地布线，设于所述绝缘膜中。所述防带电膜与所述接地布线通过连接部而连接，该连接部贯通所述接地布线上的所述绝缘膜而形成。
主权项：1.一种消隐装置，其为多射束用的消隐装置，其特征在于，该消隐装置具备：半导体基板；绝缘膜，设于所述半导体基板上；防带电膜，设于所述绝缘膜上；多个单元，分别具有消隐电极和接地电极，该消隐电极和接地电极与形成于所述半导体基板和所述绝缘膜的贯通孔对应地设置在该绝缘膜上；以及接地布线，设于所述绝缘膜中，所述防带电膜与所述接地布线通过连接部而连接，该连接部贯通所述接地布线上的所述绝缘膜而形成，所述连接部被提供到与所述接地电极不同的位置。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 纽富来科技股份有限公司 多射束用的消隐装置以及多带电粒子束描绘装置
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