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申请/专利权人：上海科技大学
摘要：本发明公开了一种基于InAsInAsSb二类超晶格的中红外波段光电探测器及其制备方法。本发明的光电探测器包括：依次层叠的衬底层、阴极接触层、集电层、InAsInAsSb超晶格吸收层、电子阻挡层及阳极接触层；形成于阴极接触层之上的阴极；形成于阳极接触层之上的阳极；分别与阴极及阳极电连接的共面波导电极。本发明的光电探测器利用InAs和InAsSb形成有效带隙低于原材料带隙的二类超晶格结构，从而将吸收区截至波长延伸至中红外波段，同时还具有一定的可调节范围，此外，基于电子输运的单载流子结构有助于提高器件的响应速度，InAsInAsSb二类超晶格较长的载流子寿命也有助于提高器件的光响应度。
主权项：1.一种基于InAsInAsSb二类超晶格的中红外波段光电探测器，其特征在于，所述光电探测器至少包括：依次层叠的衬底层、阴极接触层、集电层、InAsInAsSb超晶格吸收层、电子阻挡层及阳极接触层；其中，所述InAsInAsSb超晶格吸收层用于吸收光子，以在其内部激发电子-空穴对，所述InAsInAsSb超晶格吸收层包括多个周期性重复的InAsInAs0.66Sb0.34超晶格吸收层，多个周期性重复的所述InAsInAsSb超晶格吸收层为浓度依次增大的P型掺杂；所述电子阻挡层用于阻挡电子向阳极方向扩散；设于所述阴极接触层之上的阴极，且所述阴极与所述阴极接触层之间形成欧姆接触；设于所述阳极接触层之上的阳极，且所述阳极与所述阳极接触层之间形成欧姆接触；分别与所述阴极及阳极电连接的共面波导电极；所述衬底层包括GaSb衬底，所述集电层包括InAsSb本征集电层；所述阴极接触层包括多个周期性重复的InAsAlAs0.08Sb0.92超晶格阴极接触层，及设于所述的InAsAlAs0.08Sb0.92超晶格阴极接触层之上的InAs0.91Sb0.09阴极接触层；所述阳极接触层包括InAsSb阳极接触层；所述电子阻挡层包括多个周期性重复的AlAs0.08Sb0.92AlSb超晶格电子阻挡层。
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权利要求：
百度查询： 上海科技大学 一种基于InAs/InAsSb二类超晶格的中红外波段光电探测器
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