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申请/专利权人:华南理工大学
摘要:本发明公开了一种n‑GaAsNiO异质结光电极材料及其制备方法与应用,属于光电极的技术领域。该光电极材料包括自下而上的背面电极、n‑GaAs和NiO。本发明通过对制备的光电极进行电化学改性,从而构建n‑GaAsNiO异质结促进了光生空穴的传输,有效提升光电流密度,明显降低了光电极的起始电位,并实现了高效的光电解水性能。本发明的光电极材料制备方法简易、成本低、稳定性好,为推动GaAs基光电极水分解产业化进程提供了良好的基础。
主权项:1.一种n-GaAsNiO异质结光电极材料,其特征在于,包括自下而上的背面电极、n-GaAs和NiO。
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权利要求:
百度查询: 华南理工大学 一种n-GaAs/NiO异质结光电极材料及其制备方法与应用
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