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申请/专利权人：珠海格力电子元器件有限公司;珠海格力电器股份有限公司
摘要：本申请提供了一种反馈碳膜质量的工艺方法和碳膜质量的检测方法，该方法包括：提供衬底；在衬底上形成参考膜层；采用外延生长工艺在参考膜层背离衬底的一侧形成碳膜；使腐蚀液透过碳膜对参考膜层进行腐蚀，参考膜层形成孔洞，孔洞用于反馈碳膜的当前性能参数；在腐蚀液对参考膜层腐蚀结束后，采用热处理工艺去除碳膜。通过观察参考膜层形成的孔洞的相关参数确定碳膜的当前性能参数，对外延生长工艺的参数进行更新，进而提升半导体器件的碳膜的质量，不需要采用量测机台，进而不会产生清理机台的费用，解决了现有技术中对半导体器件的碳膜质量进行检测的结果不准确，且成本较高的问题。
主权项：1.一种反馈碳膜质量的工艺方法，其特征在于，所述工艺方法包括：提供衬底；在所述衬底上形成参考膜层；采用外延生长工艺在所述参考膜层背离所述衬底的一侧形成碳膜；使腐蚀液透过所述碳膜对所述参考膜层进行腐蚀，以使所述参考膜层形成孔洞，所述孔洞用于反馈所述碳膜的当前性能参数；在所述腐蚀液对所述参考膜层腐蚀结束后，采用热处理工艺去除所述碳膜。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 珠海格力电子元器件有限公司 珠海格力电器股份有限公司 反馈碳膜质量的工艺方法和碳膜质量的检测方法
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