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一种基于独立栅极结构的非互易磁电阻器件及其制备方法 

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申请/专利权人:淮阴师范学院

摘要:本发明公开一种基于独立栅极结构的非互易磁电阻器件及其制备方法,独立地调控不同栅极结构的电压,进而独立调控不同区域的载流子浓度,实现原位地、连续地调控磁电阻的非互易性。本发明通过独立地调控不同栅极的电压,进而可以独立调控不同区域的载流子浓度,以达到原位地、连续地调控磁电阻的非互易性。该方法为探索磁场驱动的非互易效应提供了一种简单可行的方法,并为原位可控磁阻器件的应用提供了一个新的方案。

主权项:1.一种基于独立栅极结构的非互易磁电阻器件,其特征在于:独立地调控不同栅极结构的电压,进而独立调控不同区域的载流子浓度,实现原位地、连续地调控磁电阻的非互易性。

全文数据:

权利要求:

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