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申请/专利权人：昆山兴凯半导体材料有限公司
摘要：本发明涉及高导热填料技术领域，具体涉及一种高导热核壳结构氮化硼@偏氟乙烯基聚合物填料的制备方法，本发明通过创新性地相分离方法合成出具有核壳结构氮化硼，成功地将偏氟乙烯基共聚物修饰在BN的界面上，增加二维高导热填料在高分子基体当中的相容性；因此本发明中制备得到的高导热填料在电子封装系统、高压电绝缘设备和高介电电容器等领域具有广泛的应用前景。
主权项：1.一种具有核壳结构氮化硼@偏氟乙烯基聚合物的制备方法，具体步骤如下：步骤一：将BN二维片层材料超声波分散于N,N-二甲基甲酰胺或N,N-二甲基乙酰胺溶剂中；步骤二：将偏氟乙烯基共聚物溶解在N,N-二甲基甲酰胺或N,N-二甲基乙酰胺溶剂中，50-70℃下搅拌5-7小时；步骤三：将步骤一和步骤二中的溶液混合，并在60℃以下搅拌24小时；步骤四：通过恒压分液漏斗将正辛醇缓慢滴加到步骤三中的混合液中，保持温度60℃，持续搅拌24小时；步骤五：将步骤四中的混合溶液通过蒸发的方式去除溶剂，得到核壳结构氮化硼填料；步骤六：将步骤五所得的填料进行离心处理，并用乙醇或者甲醇或者丙醇清洗3-6次，将所得到的填料放置在100摄氏度的真空炉汇总干燥5-8小时，得到具有核壳结构氮化硼。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 昆山兴凯半导体材料有限公司 一种核壳结构氮化硼@偏氟乙烯基聚合物的制备方法
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