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申请/专利权人：西安理工大学
摘要：本发明Mueller矩阵图像的获取系统及获取方法，公开了包括依次设置形成光学系统的光源S、准直镜CL、起偏器P、样品V、超表面M、成像镜L、探测器D；超表面M具体结构为：在单晶硅片上表面沉积金属膜，以单晶硅片中心为坐标原点，划分为四个象限，对每个象限的金属膜表面采用光刻工艺按照偏振吸收角度开设印刻单元，每个印刻单元内刻蚀金属纳米线和硅纳米线；成像镜L包括四个凸透镜，每个凸透镜的光轴正对每个象限的中心；本发明中采用超表面作为检偏臂，不存在运动部件，与现有装置相比，在分析目标表面出射光的偏振态时不需要进行旋转，可通过单次曝光得到偏振态的变化，探测时间更快。
主权项：1.Mueller矩阵图像的获取系统，其特征在于，包括依次设置形成光学系统的光源S、准直镜CL、起偏器P、样品V、超表面M、成像镜L、探测器D；所述超表面M具体结构为：在单晶硅片上表面沉积金属膜，以单晶硅片中心为坐标原点，划分为四个象限，对每个象限的金属膜表面采用光刻工艺按照偏振吸收角度开设印刻单元，每个所述印刻单元内刻蚀金属纳米线和硅纳米线，具体为：高阻硅片作为衬底并在其表面制备铝硅双层纳米线栅结构，表层铝线栅用于产生共振吸收，底层硅线栅用于调控等效折射率；所述对每个象限的偏振吸收角度为：第一象限为与X轴平行，第二象限为与X轴垂直，第三象限为与X轴正方向呈45°夹角，第四象限为与X轴正方向呈-45°夹角；所述成像镜L包括四个凸透镜，每个所述凸透镜的光轴正对每个象限的中心；所述金属膜为铝膜，厚度为0.6μm；所述光源S发光频率为8-12um。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 西安理工大学 Mueller矩阵图像的获取系统及获取方法
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