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一种跨电压域可选内置上拉电阻复用系统 

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申请/专利权人:观淮(淮安)微电子有限公司

摘要:本发明涉及一种跨电压域可选内置上拉电阻复用系统,包括SCLSDA接口、第一上拉电阻、第二上拉电阻、第一PMOS晶体管、第二PMOS晶体管和三个逻辑保持模块。两个上拉电阻的一端分别与SCLSDA接口的两端相连,另一端分别经由第一和第二PMOS晶体管连接至选择电压;第一逻辑保持模块与选择电压相连,第二和第三逻辑保持模块分别与SCLSDA接口的两端相连;每一逻辑保持模块包括块内NMOS晶体管、块内PMOS晶体管和块内反相器;块内NMOS晶体管用作传输门且栅极接偏置电压,块内PMOS晶体管和块内反相器起高电平锁存作用。本发明能够实现可选内置上拉电阻复用,且能有效防止不同电压域的芯片之间进行通信时的电压反灌问题,同时避免了电源到地的漏电流。

主权项:1.一种跨电压域可选内置上拉电阻复用系统,其特征在于,包括SCLSDA接口、第一上拉电阻(R1)、第二上拉电阻(R2)、第一PMOS晶体管(MP1)、第二PMOS晶体管(MP2)、三个逻辑保持模块;第一上拉电阻(R1)和第二上拉电阻(R2)的第一端分别与SCLSDA接口的两端相连;第一上拉电阻(R1)的第二端和第二上拉电阻(R2)的第二端分别与第一PMOS晶体管(MP1)的漏极和第二PMOS晶体管(MP2)的漏极相连;第一PMOS晶体管(MP1)的衬底极上的电压和第二PMOS晶体管(MP2)的衬底极上的电压分别等于各自所在晶体管漏极上的电压;第一PMOS晶体管(MP1)的源极和第二PMOS晶体管(MP2)的源极均连接至选择电压(Vsel);第一PMOS晶体管(MP1)的栅极和第二PMOS晶体管(MP2)的栅极相连,且第一PMOS晶体管(MP1)栅极上的电压与选择电压(Vsel)反相;每一逻辑保持模块包括块内NMOS晶体管(MNa,MNb,MNc)、块内PMOS晶体管(MPa,MPb,MPc)和块内反相器;每一逻辑保持模块中:块内NMOS晶体管(MNa,MNb,MNc)的栅极接偏置电压(Vbias),漏极连接块内反相器的输入端,衬底极连接至接地电压(GND);块内PMOS晶体管(MPa,MPb,MPc)的源极和衬底极连接电源电压(VDD),栅极连接模块反相器的输出端,漏极连接块内反相器的输入端;块内反相器的正极和负极分别连接至电源电压(VDD)和接地电压(GND);第一逻辑保持模块的块内NMOS晶体管(MNa)的源极连接至所述选择电压(Vsel);第二和第三逻辑保持模块的块内NMOS晶体管(MNb,MNc)的源极分别连接至第一上拉电阻(R1)的第一端和第二上拉电阻(R2)的第一端;第二PMOS晶体管(MP2)的栅极与第一逻辑保持模块的块内反相器的输出端相连。

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