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一种利用ALD法制备氧化铝钝化膜的方法及装置 

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申请/专利权人:无锡松煜科技有限公司

摘要:本公开涉及半导体技术领域,具体涉及一种利用ALD法制备氧化铝钝化膜的方法及装置,该方法,包括如下步骤:S‑1.提供衬底,送入反应腔室;S‑2.向反应腔室内通入三甲基铝,同时通入三氯化铝;S‑3.向反应腔室内通入氮气,吹扫反应腔室,将吹出的气体与水在容器内接触;S‑4.向反应腔室内通入水蒸气;S‑5.向反应腔室内通入氮气,吹扫反应腔室;步骤S‑2至步骤S‑5形成一个循环,重复该循环,得到氧化铝薄膜。本公开记载的技术方案,通过提高TMA的沉积效率,减少TMA的剩余量,以及在TMA沉积后,对剩余的TMA在可控范围内让TMA与水反应,消除不可控的安全风险。提高ALD工艺制备氧化铝钝化膜的安全性。

主权项:1.一种利用ALD法制备氧化铝钝化膜的方法,其特征在于,包括如下步骤:S-1.提供衬底,送入反应腔室;S-2.向反应腔室内通入三甲基铝,同时通入三氯化铝;S-3.向反应腔室内通入氮气,吹扫反应腔室,将吹出的气体在容器内与水接触;S-4.向反应腔室内通入水蒸气;S-5.向反应腔室内通入氮气,吹扫反应腔室;步骤S-2至步骤S-5形成一个循环,重复该循环,得到氧化铝薄膜;在第一个循环通入三甲基铝之前,还进行如下步骤:S-11.向反应腔室内通入氧气或者臭氧,在衬底表面形成种子层;S-12.向反应腔室内通入氮气,吹扫反应腔室。

全文数据:

权利要求:

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