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申请/专利权人：中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))

摘要：本申请涉及一种高温反偏或高温栅偏试验的阈值电压监测电路。电路包括：待测的目标SiCMOSFET、第一试验电路、第二试验电路以及测试电路；目标SiCMOSFET的栅极、第一试验电路以及源极可形成第一回路，以及漏极、第二试验电路以及源极可形成第二回路，以通过第一回路和第二回路对目标SiCMOSFET进行目标试验，目标试验包括高温反偏试验和高温栅偏试验中的一种；漏极和栅极可形成短路回路，以及漏极、测试电路和源极可形成第三回路，以测量目标SiCMOSFET的阈值电压。本申请能够更准确地监测SiCMOSFET器件的阈值电压。

主权项：1.高温反偏或高温栅偏试验的阈值电压监测电路，其特征在于，所述阈值电压监测电路包括待测的目标SiCMOSFET、第一试验电路、第二试验电路以及测试电路；所述目标SiCMOSFET的栅极、所述第一试验电路以及所述目标SiCMOSFET的源极可形成第一回路，以及所述目标SiCMOSFET的漏极、所述第二试验电路以及所述源极可形成第二回路，以通过所述第一回路和所述第二回路对所述目标SiCMOSFET进行目标试验，所述目标试验包括高温反偏试验和高温栅偏试验中的一种；所述漏极和所述栅极可形成短路回路，以及所述漏极、所述测试电路和所述源极可形成第三回路，以供所述测试电路在所述目标试验结束后，在所述短路回路和所述第三回路导通的情况下，测量所述目标SiCMOSFET的阈值电压；当进行高温反偏试验时，第一单刀双掷开关的活动端接线柱与第一电源的负极连接，在所述目标SiCMOSFET的栅极与所述目标SiCMOSFET的源极之间施加负栅压；当进行高温反偏试验对应的电压监测电路时，所述第一单刀双掷开关的活动端接线柱与所述目标SiCMOSFET的漏极连接，所述目标SiCMOSFET的漏极和所述目标SiCMOSFET的栅极短接；当进行高温反偏试验对应的电压监测电路时，第二单刀双掷开关的活动端接线柱与所述测试电路的一端连接，形成所述第三回路，以监测所述目标SiCMOSFET的阈值电压；当进行高温栅偏试验时，第三单刀双掷开关的活动端接线柱与开关元件连接，在所述目标SiCMOSFET的栅极与所述目标SiCMOSFET的源极之间施加第一栅源电压或者施加第二栅源电压；当进行高温栅偏试验对应的电压监测电路时，所述第三单刀双掷开关的活动端接线柱与所述目标SiCMOSFET的漏极连接，所述目标SiCMOSFET的漏极和所述目标SiCMOSFET的栅极导通，形成短路回路；当进行高温栅偏试验对应的电压监测电路时，第五单刀双掷开关的活动端接线柱与所述测试电路的一端连接，形成所述第三回路，以监测所述目标SiCMOSFET的阈值电压。

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