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申请/专利权人：浙江理工大学
摘要：本发明公开了一种基于熔体近场直写技术的管状支架制备方法。采用熔体近场直写技术，在精准控制射流沉积的基础上制备出不同纤维结构的管状支架。针对目前不同结构管状支架制备的复杂性，通过解构其结构形态，将原本三维立体管状支架转化为二维平面，以二维坐标的形式表达以便更直观地理解其结构特征并进行精确设计。同时在平面上更易实现各种复杂的路径和图案，从而提高设计的自由度。通过平面展开的思路，可以推导出更简便高效的计算方式，从而构建一系列较为简便的数学公式，实现对支架几何参数的精准调控，优化整个制备过程。
主权项：1.一种基于熔体近场直写技术的管状支架制备方法，其特征在于包括如下步骤：步骤一：通过对管状支架结构设计进行解构，将其从三维立体结构展开为二维平面形式；步骤二：在所述步骤一中展开的二维平面图上标注出路径轨迹，根据其路径轨迹，将二维平面整体结构拆解为多个相同的单元，通过对单元进行循环复制，构建二维平面整体结构；步骤三：通过所述步骤二中拆解的单元，设立相应的参数；构建每个单元内参数和路径轨迹之间的数学映射关系，通过数学算法将参数的变化映射到路径轨迹的相应变化上，以此描述和连接所设计的管状支架结构和打印过程中的路径；在数学映射关系的辅助下通过编程软件对单元循环复制；步骤四：选用高分子聚合物材料，采用熔体近场直写设备制备管状支架；通过二维平面展开的形式，将管状支架的立体打印转化为平面打印，将接收管的旋转速度等同于平面打印中Y轴平移速度，仅通过控制编程软件中的速度即可匹配X和Y轴的合速度，无需分别计算X轴平移速度和接收管的旋转速度，即采用等同平面打印的n*临界平移速度进行打印n∈0～1.25。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 浙江理工大学 一种基于熔体近场直写技术的管状支架制备方法
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