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申请/专利权人：北京北方华创真空技术有限公司
摘要：本申请涉及纳米材料的技术领域，具体公开了一种大面积制备Mo6Te6纳米线薄膜的方法。本申请公开的大面积制备Mo6Te6纳米线薄膜的方法，具体步骤为：将载有2HMoTe2连续薄膜的硅片置于电子束蒸镀的腔体内，在高真空下，枪灯丝的电流为0.73‑0.80A，形成电子束；电子束通过‑8.2kV的电场后被加速，利用磁场的配合精准的聚焦到2HMoTe2表面，将能量传递至2HMoTe2并使其发生向Mo6Te6的大面积转化。本申请通过电子束诱导首次实现了大面积半导体相的MoTe2向Mo6Te6的转变，能保证相变的均匀性，且能实现图案化2HMoTe2Mo6Te6NW平面异质结的制备。
主权项：1.一种大面积制备Mo6Te6纳米线薄膜的方法，其特征在于，具体包括以下步骤：将载有2HMoTe2连续薄膜的硅片置于电子束蒸镀的腔体内，在高真空下，调节枪灯丝的电流为0.72-0.80A，使枪灯丝表面电子获得热运动的动能产生电子并形成电子束；电子束通过-8.2kV的电场后被加速，利用磁场的配合精准的聚焦到2HMoTe2表面，将能量传递至2HMoTe2并使其发生向Mo6Te6的大面积转化。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 北京北方华创真空技术有限公司 一种大面积制备Mo6Te6纳米线薄膜的方法
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