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申请/专利权人:天津师范大学
摘要:本发明提供一种二维材料可控刻蚀图案化的方法,属于纳米材料技术领域,包括以下步骤:S1、通过CVD方法在双温管式炉中制备MX2二维材料;S2、待MX2二维材料生长结束进行降温,降温时对降温速率进行控制,然后对降温后的MX2二维材料进行有氧退火刻蚀,得到不同的MX2二维材料刻蚀图案;MX2二维材料中的M元素为过渡金属元素,X元素为硫族元素。本发明通过汽液固生长模式来制备MX2二维材料,以及改变MX2二维材料生长结束后的降温速率来控制材料的应力状态,从而对材料进行退火处理后得到不同刻蚀图案,同时,本发明还可系统研究分析刻蚀诱导应力相关的裂隙产生及传导机制,建立面内局部应变与蚀刻图案形成之间的关系。
主权项:1.一种二维材料可控刻蚀图案化的方法,其特征在于:包括如下步骤:S1、通过CVD方法在双温管式炉中制备MX2二维材料;S2、待MX2二维材料生长结束进行降温,降温时对降温速率进行控制,然后对降温后的MX2二维材料进行有氧退火刻蚀,得到不同的MX2二维材料刻蚀图案;其中,所述MX2二维材料中的M元素为过渡金属元素,X元素为硫族元素。
全文数据:
权利要求:
百度查询: 天津师范大学 一种二维材料可控刻蚀图案化的方法
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