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申请/专利权人：思瑞浦微电子科技(上海)有限责任公司
摘要：本发明公开了一种沟槽隔离电阻结构及其制作方法。基于沟槽深度与沟槽宽度成比例的特性，在不增加成本的情况下通过当前沟槽隔离工艺来制作沟槽隔离电阻结构，形成的垂直电阻，电阻面积小，能大幅度节约芯片面积，降低芯片成本，且耐高压。
主权项：1.一种沟槽隔离电阻结构，其特征在于，包括：半导体主体，包括衬底、设置在所述衬底之上的埋层以及设置在所述埋层之上的外延层；第一沟槽，从所述外延层的顶表面延伸到所述埋层中，所述第一沟槽内设置有第一沟槽结构，所述第一沟槽结构被配置为将所述埋层电连接至所述外延层的顶表面；至少一个沟槽隔离单元，位于所述第一沟槽所围成的区域内，所述沟槽隔离单元包括第二沟槽和第三沟槽；所述第二沟槽从所述外延层的顶表面延伸到所述埋层中且不贯穿所述埋层，所述第二沟槽内设置有第二沟槽隔离结构，所述第二沟槽隔离结构在所述外延层中限定出一电阻区；所述第三沟槽位于所述电阻区内，所述第三沟槽从所述外延层的顶表面延伸到所述外延层中，所述第三沟槽的底部与所述埋层的顶表面之间存在预设距离，所述第三沟槽内设置有第三沟槽隔离结构，所述第三沟槽隔离结构将所述电阻区划分为第一电阻子区和第二电阻子区，所述第一电阻子区和第二电阻子区通过所述第三沟槽隔离结构底部的外延层相连通。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 思瑞浦微电子科技(上海)有限责任公司 沟槽隔离电阻结构及其制作方法
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