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申请/专利权人：哈尔滨理工大学
摘要：本发明的目的在于研制一种多活性位点的锗钨酸基晶体材料，有效克服克服了传统多酸易溶于水并且需要贵金属作为助催化剂的缺点，通过引入过渡金属元素形成原子轨道的混合或杂化，提高多金属氧酸盐的最低未占轨道LUMO能级，以及提高了多金属氧酸盐的催化活性。一种多活性位点的锗钨酸基晶体材料的化学式为[CdII2bipy4H2O4]GeW12O40。方法：将0.27g锗钨酸K4GeW12O40·7H2O，0.135g氯化镉CdCl2·4H2O，0.45g2,2‑联吡啶C10H8N2溶解于36mL的去离子水中，用1molL‑1盐酸和1molL‑1氢氧化钠溶液调节溶液pH＝2.4，在室温条件下搅拌3.5h。将上述溶液均分成三份转移至20mL反应釜中，160℃保持72h，得到淡黄色块状晶体。本发明可获得一种具有优异的光催化产氢活性的多活性位点的锗钨酸基晶体材料。
主权项：1.一种多活性位点的锗钨酸基晶体材料的化学式为[CdII2bipy4H2O4]GeW12O40，简称为Cd2-GeW12，其中，bipy为2,2-联吡啶，分子式为C10H8N2；一种多活性位点的锗钨酸基晶体材料的晶系为单斜；空间群为P21；单胞参数为α＝90°，β＝92.260010°，γ＝90°，z＝4。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 哈尔滨理工大学 一种多活性位点的锗钨酸基晶体材料的制备及其光催化产氢应用
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