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申请/专利权人：重庆原石智能装备有限公司
摘要：本发明公开了一种用于SiC单晶生长炉的增强型控温方法和控温系统，先通过测温仪获取坩埚的实时温度TPV并反馈至控制器，控制器基于实时温度和已知的期望温度通过PID计算得到初步输出值ut；控制器基于ut，再结合TPV和加热电源实时输出值进行处理，得到加热电源的输出设定值并作为最终输出值u’t去控制加热电源，实现坩埚温度的控制。处理过程中，同时考虑加热过程中当前坩埚温度是否存在干扰、前后时刻坩埚温度波动以及前后时刻加热电源输出波动是否在允许波动范围内。本发明不仅能够规避外界干扰因素给控温系统带来的不良影响，并且能够同时保证单晶生长控温过程中坩埚温度和加热电源输出的稳定性。
主权项：1.一种用于SiC单晶生长炉的增强型控温方法，其特征在于：按如下步骤进行，1）通过测温仪获取坩埚的实时温度TPV并反馈至控制器，控制器基于实时温度TPV和已知的期望温度TSP通过PID计算得到初步输出值ut；2）控制器基于步骤1）得到的初步输出值ut，再结合实时温度TPV和加热电源实时输出值PAV进行处理，得到加热电源的输出设定值PSP，将加热电源的输出设定值PSP作为最终输出值u’t去控制加热电源，最终通过加热电源和线圈的作用实现坩埚温度的控制；处理得到加热电源的输出设定值PSP时，同时考虑加热过程中当前坩埚温度是否存在干扰、前后时刻坩埚温度波动是否在坩埚温度允许波动范围内以及前后时刻加热电源输出波动是否在电源输出允许波动范围内。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 重庆原石智能装备有限公司 一种用于SiC单晶生长炉的增强型控温方法和控温系统
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