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申请/专利权人：长江存储科技有限责任公司
摘要：一种存储器控制器耦合至包括存储单元的阵列的存储器件，每个存储单元被设置为与一段N比特数据相对应的2N个状态之一，其中N是大于1的整数，并且所述存储单元的阵列被划分成一个或多个单元装置。所述存储器控制器耦合至所述存储器件并且被配置为在执行指令时：从所述存储器件获得所述单元装置中的单元装置中处于所述2N个状态中的一个或多个经编程状态的存储单元的数量P；基于所述数量P来计算相对于默认读电压具有偏移的、经补偿的读电压；以及向所述存储器件提供所述经补偿的读电压，用于对在所述单元装置中的单元装置中的存储单元中的所选择的存储单元执行的读操作。
主权项：1.一种存储系统，包括：存储器件，其包括：存储单元的阵列，每个存储单元被配置为：被设置为与一段N比特数据相对应的2N个状态之一，其中，N是大于1的整数，并且所述存储单元的阵列被划分成一个或多个单元装置；以及外围电路，其耦合至所述存储单元，并且被配置为：对所述单元装置中的单元装置中的存储单元中的所选择的存储单元执行读操作；以及存储器控制器，其耦合至所述存储器件并且被配置为：通过向所述外围电路发送指令来控制所述存储器件使用相对于默认读电压具有偏移的、经补偿的读电压来执行所述读操作，其中，所述偏移与所述单元装置中处于所述2N个状态中的一个或多个经编程状态的存储单元的数量P相关。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 长江存储科技有限责任公司 存储器件的读操作中的读偏移补偿
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