龙图腾网&IPTOP
- 微信扫码登录
- 账号密码登录
- 短信登录/注册
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
申请/专利权人：深圳市槟城电子股份有限公司
摘要：本发明公开了一种半导体放电管及供电电路。所述半导体放电管包括：半导体层和控制电极。半导体层包括：第一扩散区、第二扩散区和第三扩散区；其中，所述第一扩散区位于所述半导体层的顶部；所述第二扩散区和所述第三扩散区均位于所述第一扩散区的顶部，占据所述第一扩散区的部分区域；所述第二扩散区位于所述第一扩散区的内部；所述第三扩散区与所述第一扩散区接触；控制电极位于所述半导体层的顶部表面，与所述第一扩散区接触。本发明实施例可以使半导体放电管的开启方式更灵活，从而提高半导体放电管对应用其的电路的保护效果，以及扩大半导体放电管的应用范围。
主权项：1.一种半导体放电管，其特征在于，包括：半导体层，包括：第一扩散区、第二扩散区、第三扩散区和第四扩散区；其中，所述第一扩散区位于所述半导体层的顶部；所述第二扩散区和所述第三扩散区均位于所述第一扩散区的顶部，占据所述第一扩散区的部分区域；所述第二扩散区位于所述第一扩散区的内部；所述第三扩散区与所述第一扩散区接触；所述第三扩散区的部分区域位于所述第一扩散区内部，且所述第三扩散区的部分区域位于所述第一扩散区的外部；所述第四扩散区，位于所述半导体层的底部；控制电极，位于所述半导体层的顶部表面，与所述第一扩散区接触；所述半导体放电管还包括：第一电极，位于所述半导体层的底部表面，且与所述第四扩散区接触；第二电极，位于所述半导体层的顶部表面，且与所述第二扩散区接触；其中，所述第一电极铺满整个所述半导体层的底部表面，以实现与晶闸管结构并联的反向二极管结构；在所述第一电极和所述第二电极之间施加的外加正向电压未达到断态电压VDRM时，或所述第一电极和所述第二电极之间施加的外加负向电压的绝对值小于电压VS2时，在所述控制电极处施加正向偏压。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 深圳市槟城电子股份有限公司 半导体放电管及供电电路
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
主营中国专利交易买卖与专利转让许可,高校科技成果推广与科技成果转化,知识产权运营管理与平台开发,科技人才专家库与科技猎头等科技服务
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号