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申请/专利权人：京东方科技集团股份有限公司
摘要：本公开的实施例提供一种量子点发光器件及其制备方法以及量子点显示面板的制备方法，该量子点发光器件的制备方法，包括：提供衬底基板；在衬底基板上形成第一电极；在第一电极上形成第一功能层；在第一功能层上依次形成第一牺牲层和第一光刻胶层；对第一光刻胶层进行构图工艺形成第一光刻胶图案；以第一光刻胶图案为掩膜对第一牺牲层进行构图工艺以形成第一牺牲层图案，其中，第一功能层包括第一部分和第二部分，第一部分上依次堆叠第一牺牲层图案和第一光刻胶图案，第二部分被第一牺牲层图案和第一光刻胶图案露出；在第一光刻胶图案和第一功能层的第二部分上形成第一量子点材料层；剥离第一牺牲层图案以去除第一牺牲层图案以及位于其上的第一光刻胶图案和第一量子点材料层，并保留位于第一功能层的第二部分上的第一量子点材料层以形成第一量子点发光层；在第一量子点发光层上形成第二电极。
主权项：1.一种量子点发光器件的制备方法，包括：提供衬底基板；在所述衬底基板上形成第一电极；在所述第一电极上形成第一功能层；在所述第一功能层上依次形成第一牺牲层和第一光刻胶层；对所述第一光刻胶层进行构图工艺形成第一光刻胶图案；以所述第一光刻胶图案为掩膜对所述第一牺牲层进行构图工艺以形成第一牺牲层图案，其中，所述第一功能层包括第一部分和第二部分，所述第一部分上依次堆叠所述第一牺牲层图案和所述第一光刻胶图案，所述第二部分被所述第一牺牲层图案和所述第一光刻胶图案露出；在所述第一光刻胶图案和所述第一功能层的所述第二部分上形成第一量子点材料层；剥离所述第一牺牲层图案以去除所述第一牺牲层图案以及位于其上的所述第一光刻胶图案和所述第一量子点材料层，并保留位于所述第一功能层的所述第二部分上的所述第一量子点材料层以形成第一量子点发光层；在所述第一量子点发光层上形成第二电极。
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百度查询： 京东方科技集团股份有限公司 量子点发光器件及其制备方法、量子点显示面板的制备方法
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