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申请/专利权人：浙江珏芯微电子有限公司
摘要：本发明公开了一种碲镉汞红外探测器接触电极的制备方法，包括步骤：提供一碲镉汞基底，其内具有阵列分布的电极区；对电极区进行刻蚀，形成凹槽；在碲镉汞基底表面形成金属层；对金属层刻蚀，保留电极区凹槽的金属层，形成U型电极金属；在碲镉汞基底表面及U型电极金属上形成钝化层；刻蚀钝化层，形成暴露U型电极金属的通孔；在通孔中形成电极，本发明中由于电极金属为U型，因此U型侧壁形成金属围墙的作用，在湿法腐蚀过程中，钝化膜横向腐蚀的速度得到了很大地抑制，纵向腐蚀不受影响，进而使钝化开孔能够顺利进行。
主权项：1.一种碲镉汞红外探测器接触电极的制备方法，其特征在于，包括步骤：提供一碲镉汞基底，其内具有阵列分布的电极区；对电极区进行刻蚀，形成凹槽；在碲镉汞基底表面以及凹槽底部的电极区表面形成金属层，金属层的材料为铬、金或其叠层、化合物的任意一种；对金属层刻蚀，保留电极区凹槽底部和侧壁的金属层，形成U型电极金属及覆盖电极区边缘的金属层；在碲镉汞基底表面及U型电极金属上热蒸镀形成钝化层，钝化层的材料为硫化锌；在钝化层上形成光刻胶层，图形化光刻胶层，使得光刻胶层暴露U型电极金属；在光刻胶层掩膜下湿法刻蚀钝化层，去除U型电极金属内的钝化层，在钝化层中形成暴露U型电极金属的通孔；在通孔中的U型电极金属内生长铟柱，利用U型金属和铟柱共同形成电极。
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权利要求：
百度查询： 浙江珏芯微电子有限公司 一种碲镉汞红外探测器接触电极的制备方法
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