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申请/专利权人：京东方科技集团股份有限公司;北京京东方传感技术有限公司

摘要：本发明公开了一种探测基板、其制作方法及平板探测器，包括：衬底基板，依次位于衬底基板上的多个晶体管、氧化物层、多个读取电极和多个光电转换结构；各晶体管的第一电极通过各读取电极与各光电转换结构一一对应电连接，有源层的材质包括氧化物；光电转换结构包括N型半导体层、本征半导体层和P型半导体层；氧化物层至少覆盖晶体管的沟道区且与读取电极相互绝缘。通过在各晶体管所在层与各读取电极所在层之间设置覆盖晶体管沟道区的氧化物层，使得后续沉积光电转换结构的过程中产生的氢原子与氧化物层反应，避免了氢原子到达沟道区，有效改善了晶体管的稳定性，提高了平板探测器的性能。

主权项：1.一种探测基板，其特征在于，包括：衬底基板，位于所述衬底基板上的多个晶体管，位于各所述晶体管的远离所述衬底基板的一侧的多个读取电极，位于各所述读取电极的远离所述晶体管的一侧的多个光电转换结构，以及位于各所述晶体管所在层与各所述读取电极所在层之间的氧化物层；其中，各所述晶体管的第一电极通过各所述读取电极与各所述光电转换结构一一对应电连接；各所述晶体管的有源层的材质包括氧化物；所述光电转换结构，包括：N型半导体层、本征半导体层和P型半导体层；所述氧化物层至少覆盖所述晶体管的沟道区，且与所述读取电极相互绝缘；探测基板还包括：位于各所述晶体管所在层与各所述读取电极所在层之间的绝缘层；所述绝缘层，包括：位于各所述晶体管所在层与所述氧化物层之间的第一钝化层，位于所述氧化物层与各所述读取电极所在层之间的第一树脂层，以及位于所述第一树脂层与各所述读取电极所在层之间的第二钝化层；或者，所述绝缘层，包括：位于各所述晶体管所在层与所述氧化物层之间的第一钝化层，位于所述氧化物层与各所述第一钝化层之间的第一树脂层，以及位于所述氧化物层与各所述读取电极所在层之间的第二钝化层；所述第一树脂层在所述晶体管的第二电极所在区域具有第二过孔，所述第二钝化层覆盖所述第二过孔，所述读取电极覆盖至少部分所述第二过孔；所述氧化物层在所述衬底基板上的正投影覆盖所述第二过孔在所述衬底基板上的正投影。

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