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基板处理方法和基板处理装置 

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申请/专利权人:东京毅力科创株式会社

摘要:基板处理方法包括准备基板的工序、以及进行基板的蚀刻处理的工序。在准备基板的工序中,准备具有层叠膜的基板,该层叠膜包括膜厚不同的多个硅氧化膜。在进行基板的蚀刻处理的工序中,用添加了盐酸的蚀刻液进行基板的蚀刻处理。

主权项:1.一种基板处理方法,包括以下工序:准备具有层叠膜的基板,该层叠膜包括膜厚不同的多个硅氧化膜;以及用添加了盐酸的蚀刻液进行所述基板的蚀刻处理。

全文数据:

权利要求:

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