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申请/专利权人：广州市南沙区北科光子感知技术研究院;北京信息科技大学
摘要：本发明提供了一种中长波双色红外探测器，包括：GaSb衬底；在GaSb衬底生长的GaSb缓冲层；在GaSb缓冲层生长的长波通道下接触层，其中，长波通道下接触层为100nm厚的14InAs7GaSb超晶格，并进行Si掺杂；在长波通道下接触层生长的长波通道吸收层，其中，长波通道吸收层为1600nm厚的14InAs7GaSb超晶格；在长波通道的吸收层生长的公共势垒层，其中，公共势垒层为100nm厚的AlGaSb；在公共势垒层生长的中波通道吸收层，其中，中波通道吸收层为2000nm厚的InAsInAsSb超晶格；在中波通道吸收层生长的中波通道上接触层，其中，中波通道上接触层为100nm厚的InAsInAsSb超晶格，并进行Si掺杂；在中波通道上接触层生长的顶电极层，在GaSb缓冲层生长的底电极层。本发明降低器件暗电流，提高器件探测性能，具有良好的探测效果。
主权项：1.一种中长波双色红外探测器，其特征在于，所述探测器包括：GaSb衬底；在所述GaSb衬底上生长的GaSb缓冲层；在所述GaSb缓冲层上生长的长波通道下接触层，其中，所述长波通道下接触层为100nm厚的14InAs7GaSb超晶格，并进行Si掺杂；在所述长波通道下接触层上生长的长波通道吸收层，其中，所述长波通道吸收层为1600nm厚的14InAs7GaSb超晶格；在所述长波通道的吸收层上生长的公共势垒层，其中，所述公共势垒层为100nm厚的AlGaSb；在所述公共势垒层上生长的中波通道吸收层，其中，所述中波通道吸收层为2000nm厚的InAsInAsSb超晶格；在所述中波通道吸收层上生长的中波通道上接触层，其中，所述中波通道上接触层为100nm厚的InAsInAsSb超晶格，并进行Si掺杂；在所述中波通道上接触层上生长的顶电极层，在所述GaSb缓冲层上生长的底电极层。
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百度查询： 广州市南沙区北科光子感知技术研究院 北京信息科技大学 一种中长波双色红外探测器
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