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申请/专利权人：西安交通大学
摘要：本发明提供一种图像传感类电子系统总剂量效应跨层次仿真方法、系统、设备及介质，以CMOS图像传感类电子系统为目标研究对象，以组成CMOS图像传感类电子系统的基础单元包括CMOS图像传感器内部的4TPPD像素单元、NMOS和PMOS晶体管、典型电路和典型功能模块为着手点，可模拟不同辐射参数下的系统响应，对系统内部各模块进行针对性的仿真模拟，可深入分析CMOS图传感类电子系统的总剂量效应响应，极大的弥补了实验的诸多缺点，其次，本发明提出仿真方法从器件层次到电路层次再到系统层次，属于跨层次的总剂量效应模拟仿真，为未来空间环境中电子系统的辐射效应研究提供具有价值的理论参考。
主权项：1.一种图像传感类电子系统总剂量效应跨层次仿真方法，其特征在于，包括，通过建立4TPPD像素单元、NMOS和PMOS的器件模型，并对器件层次各器件模型进行总剂量效应仿真后，获得器件层次各器件模型的总剂量效应退化响应；基于器件层次各器件模型的总剂量效应退化响应，分别建立电路层次的4TPPD像素单元、NMOS和PMOS的总剂量效应电路模型，以及建立常态电路模型，将建立的4TPPD像素单元、NMOS和PMOS的总剂量效应电路模型替换常态电路模型中的4TPPD像素单元、NMOS和PMOS，从而实现图像传感器电路层次的总剂量效应仿真，获得图像传感器的总剂量效应退化响应；基于器件层次的NMOS和PMOS的器件模型总剂量效应退化响应，建立NMOS和PMOS的行为级总剂量效应模型，进而建立IO模块的行为级总剂量效应模型；基于电路层次的NMOS和PMOS的总剂量效应电路模型，建立时钟模块和电源模块的总剂量效应电路模型，获得两者总剂量效应退化响应，并基于此建立时钟模块和电源模块的行为级总剂量效应模型；基于电路层次的图像传感器的总剂量效应退化响应建立图像传感器的行为级总剂量效应模型，从而实现对图像传感类电子系统层次进行总剂量效应系统行为层次的仿真。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 西安交通大学 一种图像传感类电子系统总剂量效应跨层次仿真方法、系统、设备及介质
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