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申请/专利权人：电子科技大学
摘要：本发明公开了一种抗辐射高压欠压保护电路，属于高压集成电路技术领域。本发明所述电路包括纵向NPN三极管、齐纳稳压管、两个NMOS管、两个PMOS管和五个电阻，形成启动电路、抗辐射比较电路、分压电路和输出反馈电路的框架。本发明所述欠压保护电路采用纵向NPN三级管作为自比较电路，纵向NPN三级管的抗辐射总剂量能力远优于CMOS结构，总剂量环境下，放大倍数、基极漏电不会有明显变化；本发明所述欠压保护电路在设计上简化了电路结构，面积更小，能更好的适用于辐射环境下的应用场景。
主权项：1.一种抗辐射高压欠压保护电路，其特征在于，包括纵向NPN三极管Q、齐纳稳压管D1、两个NMOS管、两个PMOS管和五个电阻；第二电阻R2的两端分别与第一电阻R1和第三电阻R3的一端连接；第一NMOS管NM1的漏极连接至第二电阻R2和第三电阻R3的连接处；所述纵向NPN三极管Q的基极连接至第一电阻R1和第二电阻R2的连接处，集电极连接第四电阻R4的一端和第一PMOS管PM1的栅极，发射集连接齐纳稳压管D1的负电极；电阻R1的另一端、第一PMOS管PM1的源极和第二PMOS管PM2的源极分别连接至电源VDD；所述第一PMOS管PM1的漏极连接第五电阻R5的一端；所述电阻R3的另一端、第五电阻R5的另一端、第一NMOS管NM1的源极、齐纳稳压管D1的正电极和第二NMOS管NM2的源极连接参考地端VSS；所述第二PMOS管PM2的栅极分别与第一PMOS管PM1的漏极和第二NMOS管NM2的栅极连接；所述第二PMOS管PM2的漏极分别与第四电阻R4的另一端和第二NMOS管NM2的漏极连接，连接处作为输出端口；输出端口连接至第一NMOS管NM1的栅极。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 电子科技大学 一种抗辐射高压欠压保护电路
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