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申请/专利权人：大连嘉禾工业控制技术股份有限公司

摘要：本发明公开一种可提升ESP运行电压且稳定火花率的高压电源控制方法，其火花放电中断处理方法是记录火花放电时刻的二次电压值U2h及可控硅导通角αh，经过闭锁时间后，先以导通角αh‑β对可控硅恒定触发并通过IGBT占空比渐变快速升压，当IGBT占空比达到最大时，控制可控硅导通角以设定速度V2快速增加，升压至离U2h很近的电压值并在此电压值下稳定运行Tw时间后，再以控制可控硅导通角以设定速度V3增加，最终以最大输出功率运行。可稳定的控制单位时间火花放电的次数（火花率）及关闭电源次数，提升高压电源运行的电压值，进而提高除尘效率。

主权项：1.一种可提升ESP运行电压且稳定火花率的高压电源控制方法，是对IGBT逆变高频高压电源进行控制，其特征在于依次按照如下步骤进行：步骤1.设备启动；步骤2.对关键参数初始化，所述关键参数是IGBT闭锁时间Tb，IGBT从最小占空比到最大占空比所用时间Tz，可控硅导通角降低值β，火花放电率N，稳定运行时间Tw，Tw=1N-Tb-Tz，导通角阶段上升速度V2，火花放电临界跟踪区间△U2，火花放电试探阶段上升速度V3，二次电压限定值U，二次电流限定值I；步骤3.控制可控硅导通角逐渐增加；步骤4.判断是否发生火花放电，是，进入步骤5，否，进入步骤6；步骤5.火花放电中断处理；步骤5.1记录发生火花放电时刻的二次电压U2h及可控硅导通角αh；步骤5.2控制IGBT闭锁直至达到IGBT闭锁时间Tb；步骤5.3控制可控硅导通角以αh-β恒定触发，通过IGBT占空比渐变快速升压；步骤5.4判断IGBT占空比是否达到最大，是，进入步骤5.5，否，返回步骤5.3；步骤5.5控制可控硅导通角以速度V2快速增加并检测二次电压实时运行值；步骤5.6判断二次电压实时运行值是否达到U2x，所述U2x=U2h-△U2；是，进入步骤5.7，否，返回步骤5.5；步骤5.7锁定可控硅导通角运行并计时；步骤5.8判断是否达到稳定运行时间Tw，否，进入步骤5.9，是，进行步骤5.10；步骤5.9判断是否发生火花放电，是，返回步骤5.1，否，返回步骤5.7；步骤5.10控制可控硅导通角以速度V3增加并执行步骤4；步骤6.判断可控硅导通角是否达到最大，是，进入步骤7，否，进入步骤9；步骤7.以最大可控硅导通角运行；步骤8.判断是否发生火花放电，是，返回步骤5，否，返回步骤7；步骤9.判断是否达到二次电压限定值U及二次电流限定值I，是，进入步骤10，否，返回步骤4；步骤10.以二次电压限定值U及二次电流限定值I运行；步骤11.判断是否发生火花放电，是，返回步骤5，否，返回步骤10。

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