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申请/专利权人：三星电子株式会社
摘要：本发明涉及包括光敏性聚合物的非离子型非化学放大光致抗蚀剂组合物和制造集成电路器件的方法。光致抗蚀剂组合物包括包含光敏性聚合物的非离子型非化学放大光致抗蚀剂组合物，光敏性聚合物包括具有极性反转基团的第一重复单元和具有敏化基团的第二重复单元。制造集成电路器件的方法包括：通过使用光致抗蚀剂组合物在特征层上形成光致抗蚀剂膜，将作为光致抗蚀剂膜的一部分的第一区域曝光以在第一区域中由第二重复单元产生二次电子并且通过使用第一区域中的二次电子改变第一重复单元的极性以反转第一区域的极性，通过使用显影剂除去光致抗蚀剂膜的未经曝光的区域以形成包括第一区域的光致抗蚀剂图案，和通过使用光致抗蚀剂图案处理特征层。
主权项：1.非离子型非化学放大光致抗蚀剂组合物，包括光敏性聚合物，所述光敏性聚合物包括由式1表示的重复单元：[式1] 其中R1和R4各自独立地为氢H原子、取代或未取代的C1-C10直链或支化烷基、取代或未取代的C2-C10直链或支化烯基、取代或未取代的C2-C10直链或支化炔基、取代或未取代的C1-C3烷氧基、C6-C18芳基、C6-C18环烷基、或C6-C18芳基烷基；R2为直接键、C1-C10亚烷基、C1-C10卤代亚烷基、C2-C10亚烯基、C2-C10卤代亚烯基、C2-C10亚炔基、C2-C10卤代亚炔基、C3-C20亚环烷基、C6-C20亚芳基、C6-C20卤代亚芳基、C7-C20亚芳烷基、或C7-C20亚烷芳基；R3为未取代的C1-C10直链或支化烷基、被氟原子取代的C1-C10直链或支化烷基、未取代的C2-C10直链或支化烯基、被氟原子取代的C2-C10直链或支化烯基、未取代的C2-C10直链或支化炔基、被氟原子取代的C2-C10直链或支化炔基、未取代的C6-C20芳基、被氟原子取代的C6-C20芳基、未取代的C7-C20芳基烷基、被氟原子取代的C7-C20芳基烷基、未取代的C7-C20烷基芳基、或被氟原子取代的C7-C20烷基芳基；R5为被羟基和C1-C5烷氧基的至少一个取代的C6-C30芳基，和ll+m和ml+m各自在0.05-0.95的范围内。
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