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氦气冷却的单晶硅成长装置及方法 

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申请/专利权人:天津理工大学

摘要:本发明公开了一种氦气冷却的单晶硅成长装置及方法,氦气冷却的单晶硅生长装置,包括炉体、保温筒和导流筒,保温筒紧贴炉体内壁设置,导流筒设置于炉体顶部,炉体内部设置有用于放置熔融态硅的坩埚;还包括设置于导流筒上部的氦气冷却装置,氦气冷却装置包括冷却部件、进口管道和出口管道;所述冷却部件为空心圆台结构,冷却部件内部形成氦气流通腔,氦气流通腔内部设置有阻流翅片;进口管道和出口管道分别连接冷却部件并与氦气流通腔连通。本发明提供以氦气作为冷却介质,氦气冷却比水冷的换热量更大,能够更有效的带走结晶潜热,从而提高在单晶炉中对单晶生长过程中晶体的冷却散热效率,能够用于拉制高质量大尺寸单晶硅棒。

主权项:1.一种氦气冷却的单晶硅生长装置,包括炉体、保温筒和导流筒,保温筒紧贴炉体内壁设置,导流筒设置于炉体顶部,炉体内部设置有用于放置熔融态硅的坩埚;其特征在于:还包括设置于导流筒上部的氦气冷却装置,氦气冷却装置包括冷却部件、进口管道和出口管道;所述冷却部件为空心圆台结构,冷却部件内部形成氦气流通腔,氦气流通腔内部设置有阻流翅片;进口管道和出口管道分别连接冷却部件并与氦气流通腔连通。

全文数据:

权利要求:

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