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申请/专利权人：宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司
摘要：本发明提供了一种单晶炉掺杂装置、单晶炉和重掺杂硅单晶的拉晶方法，涉及单晶硅加工技术领域，该掺杂装置包括固定机构、储料机构、加料机构和升降机构；加料机构包括加料控制组件和导料管，储料机构盛放掺杂剂，加料控制组件的进料端与储料机构的出料端连通；加料控制组件与导料管连接，且加料控制组件的出料端与导料管的进口端连通；导料管的出口端用于伸入单晶炉内的漏斗入口处；升降机构与加料机构活动连接，用于驱动加料机构上下运动将导料管的出口端伸入漏斗；固定机构的一端可转动的连接在升降机构的上方，另一端可转动的连接在炉筒上。本方案能够降低重掺杂硅单晶拉制过程中掺杂剂的挥发，进而保证电阻率要求，提高硅单晶的成品率。
主权项：1.一种单晶炉掺杂装置，其特征在于，包括：固定机构、储料机构、加料机构和升降机构；所述加料机构包括：加料控制组件和导料管，所述储料机构用于盛放掺杂剂，其与所述加料控制组件固定连接，且加料控制组件的进料端与所述储料机构的出料端连通；所述加料控制组件与所述导料管连接，且加料控制组件的出料端与所述导料管的进口端连通，以控制进入所述导料管中的掺杂剂的量；导料管的出口端用于伸入单晶炉内的漏斗入口处，其中所述漏斗的出口端位于熔汤上方；所述升降机构与所述加料机构活动连接，用于驱动加料机构上下运动，以将导料管的出口端伸入单晶炉内漏斗的入口处；所述固定机构的一端可转动的连接在所述升降机构的上方，另一端可转动的连接在单晶炉的炉筒上。
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百度查询： 宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司 单晶炉掺杂装置、单晶炉和重掺杂硅单晶的拉晶方法
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