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申请/专利权人：复旦大学
摘要：本发明公开一种基于激光解键合的MoS2Si异质结光电探测器与MOSFET三维集成方法及结构。该方法包括以下步骤：在Si衬底上形成MoS2Si异质结光电探测器结构层；在SOI晶圆上制作MOSFET结构层；在MOSFET结构层表面形成层间介质层；在光电探测器表面形成粘附层与激光反应层，与支撑衬底直接键合，退火形成稳定的键合对；减薄Si衬底背面；将MOSFET结构层与MoS2Si异质结光电探测器结构层直接键合，退火形成稳定的键合对；使用激光进行解键合，激光与激光反应层烧蚀反应，机械剥离支撑衬底；形成连接光电探测器结构层与MOSFET结构层的硅通孔；在硅通孔内填充Cu，去除粘附层表面的Cu，用去胶液洗去粘附层，完成MOSFET结构层与MoS2Si异质结光电探测器结构层的三维集成。
主权项：1.一种基于激光解键合的MoS2Si异质结光电探测器与MOSFET三维集成方法，其特征在于，包括以下步骤：在Si衬底上形成MoS2Si异质结光电探测器结构层；在SOI晶圆上制作MOSFET结构层；在MOSFET结构层表面形成层间介质层；在光电探测器表面形成粘附层与激光反应层，与支撑衬底直接键合，退火形成稳定的键合对；减薄Si衬底背面；将MOSFET结构层与MoS2Si异质结光电探测器结构层直接键合，退火形成稳定的键合对；使用激光进行解键合，激光与激光反应层烧蚀反应，机械剥离支撑衬底；形成连接光电探测器结构层与MOSFET结构层的硅通孔；在硅通孔内填充Cu，去除粘附层表面的Cu，用去胶液洗去粘附层，完成MOSFET结构层与MoS2Si异质结光电探测器结构层的三维集成。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 复旦大学 基于激光解键合的MoS2/Si异质结光电探测器与MOSFET三维集成方法及结构
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