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基于忆阻器阵列实现二值形态学操作的方法及电子装置 

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申请/专利权人:清华大学

摘要:一种基于忆阻器阵列实现二值形态学操作的方法及电子装置。该基于忆阻器阵列实现二值形态学操作方法包括:获取待处理图像以及用于二值形态学操作的结构元;将待处理图像中的每个像素点的值映射至忆阻器阵列对应的忆阻器单元;使用结构元依次遍历待处理图像中选择的至少部分像素点,且在遍历待处理图像的过程中,对于每个被选择像素点,将每个被选择像素点与结构元中的阵列原点对齐,结构元在待处理图像中限定窗口区域,将结构元以及窗口区域通过忆阻器阵列进行乘和处理,根据乘和处理的计算结果以及二值形态学操作的类型得到对应的二值形态学结果。该方法利用忆阻器阵列的存算一体优势,高效、快速的实现图像形态学操作。

主权项:1.一种基于忆阻器阵列实现二值形态学操作的方法,其中,所述忆阻器阵列包括阵列排布的多个忆阻器单元,所述方法包括:获取待处理图像以及用于所述二值形态学操作的结构元,其中,所述待处理图像以及所述结构元均为二值化图像,均包括阵列排布的多个像素点,每个像素点的值为彼此不同的第一值和第二值中之一,所述结构元包括阵列原点;将所述待处理图像中的每个像素点的值映射至所述忆阻器阵列对应的忆阻器单元;使用所述结构元依次遍历所述待处理图像中选择的至少部分像素点,且在遍历所述待处理图像的过程中,对于每个被选择像素点,将所述每个被选择像素点与所述结构元中的所述阵列原点对齐,所述结构元在所述待处理图像中限定窗口区域,将所述结构元以及所述窗口区域通过所述忆阻器阵列进行乘和处理,根据所述乘和处理的计算结果以及所述二值形态学操作的类型得到对应的二值形态学结果,其中,所述忆阻器阵列配置为可进行乘和运算;其中,所述结构元包括m行n列,m和n分别为正整数,其中,所述将所述结构元以及所述窗口区域通过所述忆阻器阵列进行乘和处理,包括:针对所述结构元的m行中的每一行,将所述每一行中的n个像素点,按照在所述每一行中的n个位置,与所述窗口区域中与所述每一行对应的n个像素点一一对应相乘,得到所述每一行对应的n个乘积,由此针对所述结构元的m行共得到m*n个乘积,将所述m*n个乘积求和以得到所述乘和处理的计算结果。

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