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申请/专利权人：四川世纪和光科技发展有限公司
摘要：本发明公开了一种红光封装结构、红光LED光源及封装方法，红光封装结构中正装芯片为正装形式的芯片，光直接向上发射出来，不需要经过反射，可以增加LED光源光参数效率和亮度，正装LED芯片表面点胶形成至少两层荧光粉层，通过至少两层点胶荧光粉层的设计，所述发光单元产生的红光有效波段较宽，红光波段的光功率大于或等于最大光功率的80%，对有效提供红光理疗效果有着十分重要的意义，同时，与其他封装工艺比，该工艺在达到对应技术要求的同时，可以降低设备要求，减小工艺难度。
主权项：1.一种红光封装结构，其特征在于，包括至少一个发光单元，所述发光单元包括正装芯片以及在所述正装芯片上从下向上依次点胶形成的两层荧光粉层，每层荧光粉层的厚度为0.1mm～0.25mm；所述发光单元产生的红光有效波段的波长为600nm～700nm，红光波段的光功率大于或等于最大光功率的80%；所述发光单元包括两层荧光粉层，正装芯片的发光波长为440nm～475nm，沿着所述正装芯片从下到上依次为第四荧光粉层和第五荧光粉层；所述第四荧光粉层包括荧光粉G、荧光粉H和荧光粉I，所述荧光粉G的发光波长为488nm～492nm，所述荧光粉H的发光波长为533nm～537nm，所述荧光粉I的发光波长为658nm～662nm；所述第五荧光粉层包括荧光粉J、荧光粉K和荧光粉L，所述荧光粉J的发光波长为718nm～722nm，所述荧光粉K的发光波长为738nm～742nm，所述荧光粉L的发光波长为658nm～662nm；所述第四荧光粉层中，所述荧光粉G、所述荧光粉H和所述荧光粉I的质量比为10～80:15～85:1～40；和或，所述第五荧光粉层中，所述荧光粉J、所述荧光粉K和所述荧光粉L的质量比为20～120:10～90:1～100。
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