龙图腾网&IPTOP
- 微信扫码登录
- 账号密码登录
- 短信登录/注册
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
申请/专利权人：华南理工大学
摘要：本发明提供一种单行载流子光探测器及其制备方法。该单行载流子光探测器结构包括：AlN衬底；位于所述衬底上表面的第一金属焊盘、第二金属焊盘和第三金属焊盘；位于所述第一金属焊盘上表面的第一N型电极；位于所述第三金属焊盘上表面的第二N型电极；位于所述第二金属焊盘上表面的P型电极；位于所述P型电极上表面的P型接触层；位于所述P型接触层上表面的电子阻挡层；位于所述电子阻挡层上表面的收集层；位于所述收集层上表面的吸收层；位于所述吸收层、所述第一N型电极和第二N型电极上表面的N型接触层；位于所述N型接触层上表面的抗反射层；所述吸收层为p型梯度掺杂InGaN层。单行载流子光探测器具有高饱和线性输出和高响应率。
主权项：1.一种单行载流子光探测器，其特征在于，所述单行载流子光探测器结构包括：AlN衬底；位于所述AlN衬底上表面的第一金属焊盘、第二金属焊盘和第三金属焊盘；位于所述第一金属焊盘上表面的第一N型电极；位于所述第三金属焊盘上表面的第二N型电极；位于所述第二金属焊盘上表面的P型电极；位于所述P型电极上表面的P型接触层；位于所述P型接触层上表面的电子阻挡层；位于所述电子阻挡层上表面的收集层；位于所述收集层上表面的吸收层；位于所述吸收层、所述第一N型电极和第二N型电极上表面的N型接触层；位于所述N型接触层上表面的抗反射层；所述抗反射层为三氧化二铝层；所述吸收层为p型梯度掺杂InGaN层；所述吸收层InGaN的掺杂浓度为1×1019～5×1018cm-3；所述收集层为未掺杂GaN收集层。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 华南理工大学 一种单行载流子光探测器及其制备方法
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
主营中国专利交易买卖与专利转让许可,高校科技成果推广与科技成果转化,知识产权运营管理与平台开发,科技人才专家库与科技猎头等科技服务
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号