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申请/专利权人：华灿光电(苏州)有限公司
摘要：本公开实施例提供了一种衬底，属于半导体技术领域。衬底包括陶瓷基板、防扩散层、热膨胀调节层、第一粘附层以及半导体层；所述防扩散层包裹所述陶瓷基板；所述热膨胀调节层设置在所述防扩散层的远离所述陶瓷基板的表面上；所述第一粘附层设置在所述热膨胀调节层的远离所述防扩散层的表面上；所述半导体层设置在所述第一粘附层的远离所述热膨胀调节层的表面上。本公开实施例的衬底由多晶材料制备的大尺寸衬底，其适宜作为MOCVD生长氮化镓薄膜用衬底。
主权项：1.一种衬底，其特征在于，包括陶瓷基板、防扩散层、热膨胀调节层、第一粘附层以及半导体层；所述防扩散层包裹所述陶瓷基板；所述热膨胀调节层设置在所述防扩散层的远离所述陶瓷基板的表面上；所述第一粘附层设置在所述热膨胀调节层的远离所述防扩散层的表面上；所述半导体层设置在所述第一粘附层的远离所述热膨胀调节层的表面上；所述热膨胀调节层包括以下任意一种：本征单晶硅层；本征多晶硅层；掺杂有N型掺杂剂和或P型掺杂剂的掺杂多晶硅层或掺杂单晶硅层，且所述N型掺杂剂和或P型掺杂剂降低了所述掺杂多晶硅层或掺杂单晶硅层的电导率。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 华灿光电(苏州)有限公司 一种衬底
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