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申请/专利权人：意法半导体国际公司
摘要：公开了常断异质结集成器件和用于制造集成器件的方法。集成功率器件包括：具有沟道层和阻挡层的异质结构、源极接触、漏极接触、和被布置在阻挡层上、源极接触和漏极接触之间的栅极区域。绝缘场结构被布置在阻挡层上、栅极区域和漏极接触之间。场板在绝缘场结构上方延伸。绝缘场结构包括在阻挡层上的由第一电介质材料制成的第一电介质区域和在第一电介质区域上的由第二电介质材料制成的第二电介质区域，第二电介质材料相对于第一电介质材料是选择性地可刻蚀的。在绝缘场结构朝向栅极区域的一侧上，场板与第一电介质区域接触。
主权项：1.一种集成功率器件，包括：异质结构，包括沟道层和阻挡层；源极接触、漏极接触和栅极区域，其中所述栅极区域在所述阻挡层上、在所述源极接触与所述漏极接触之间，所述栅极区域具有顶侧、第一横侧、和第二横侧；绝缘场结构，在所述阻挡层上、在所述栅极区域与所述漏极接触之间；以及场板，在所述绝缘场结构上，其中所述绝缘场结构包括：在所述阻挡层上的第一电介质材料的第一电介质区域；以及在所述第一电介质区域上的第二电介质材料的第二电介质区域，所述第二电介质材料相对于所述第一电介质材料是能够选择性地刻蚀的；其中，在所述绝缘场结构朝向所述栅极区域的侧上，所述场板与所述第一电介质区域接触；并且其中所述场板与所述栅极区域的所述第一横侧重叠，与所述栅极区域的所述顶侧部分地重叠，并且不与所述栅极区域的所述第二横侧重叠。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 意法半导体国际公司 常断异质结集成器件和用于制造集成器件的方法
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